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　　本次向特定对象发行股票的发行价格为不低于定价基准日前二十个交易日 （不含定价基准日，下同）公司股票交易均价的 80%，上述均价的计算公式为： 定价基准日前二十个交易日股票交易均价=定价基准日前二十个交易日股票交易 总额/定价基准日前二十个交易日股票交易总量。若公司股票在该二十个交易日 内发生因派息、送股、配股、资本公积转增股本等除权、除息事项引起股价调整 的情形，则对调整前交易日的交易价格按经过相应除权、除息调整后的价格计算。 若公司股票在定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积金转增股 本等除权、除息事项，本次发行的发行价格将作相应调整。调整方式如下： 最终发行价格将在本次发行申请获得上交所审核通过并经中国证监会作出予以注册决定后，由公司董事会及其授权人士根据股东会授权与保荐机构（主承销商）按照相关法律法规的规定和监管部门的要求，遵照价格优先等原则，根据发行对象申购报价情况协商确定，但不低于前述发行底价。

　　近年来，受下游新兴需求不断涌现、半导体产业向中国大陆转移、客户资本性支出增加等因素影响，国内半导体设备市场需求整体呈持续增长趋势。但由于半导体行业受国际经济波动、终端消费市场需求变化等方面影响较大，其发展往往呈现一定的周期性波动特征。在半导体行业上行周期中，半导体芯片制造厂往往加大资本性支出，快速提升对半导体设备的需求；若未来半导体行业处于下行周期中，半导体芯片制造厂往往会削减资本性支出，减少对半导体设备的需求。

　　半导体设备行业具有很高的技术壁垒和市场壁垒。目前公司的竞争对手主要为国际知名半导体设备制造商，由于半导体产线对于设备技术水平、稳定性、设备间配合度要求极高，因此半导体设备的验证周期与导入周期一般较长，与中国大陆半导体专用设备厂商相比，国际领先制造商往往在客户端具备一定先发优势；此外，存在国内潜在竞争对手进入本行业参与竞争的可能性，引起行业竞争格局的变化。尽管公司的主要产品与核心技术目前具备较大的领先地位与竞争优势，但若无法有效应对市场竞争环境、维持技术创新迭代能力并保持产品竞争优势，则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能会受到一定影响。

　　在生产阶段，公司主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。薄膜沉积设备作为前道制造核心设备，其技术特性决定了下游往往需要深度验证指标工艺的稳定性与一致性，在客户端的验证周期较长，因此公司发出商品随着业务规模扩张、产品种类的增加、在手订单规模的扩大而增加，报告期各期末，公司的发出商品账面价值分别为 129,077.49万元、190,177.27万元、413,448.88万元和 464,901.74万元。如果未来产品验收情况不及预期或出现较大技术迭代，可能导致公司部分发出商品可变现净值低于账面净值，需计提发出商品跌价准备，从而影响公司的盈利水平。

　　报告期各期末，公司应收账款账面余额分别为 26,558.22万元、54,095.07万元、151,846.15万元和 125,925.06万元，占对应期间的营业收入的比例分别为15.57%、20.00%、37.00%和 29.84%，公司应收账款金额较大。随着公司经营规模的扩大，应收账款金额将可能进一步增加，公司面临资产周转率下降、营运资本占用增加的风险。如果未来出现公司应收账款催收不力或主要客户自身发生重大经营困难导致公司无法及时收回货款的情况，将对公司利润水平产生一定影响。

　　近年来，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔求也日益提升。在此背景下，公司持续保持高强度的研发投入，紧跟芯片制造工艺、基础学科的发展方向，立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律，继续深化与客户协同研发的机制，精准锚定其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求，系统性规划工艺优化和迭代方向，专项开发定制化、高适配度的解决方案，支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。

　　随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、高性能计算、 物联网、数据中心、智能驾驶等为代表的新兴产业的创新发展将成为半导体行业 及产业链上下游需求增长的核心驱动力。其中，人工智能技术的快速发展需要依 靠超大规模算力作为基础支撑，这对于半导体芯片的工艺、性能及产能等方面均 产生了更高的要求，半导体行业正进入前所未有的变革时代，进而充分带动半导 体设备的市场需求量。由于终端强劲需求及产业发展的持续完善，全球半导体设 备整体市场规模在 2021-2024年持续超过 1,000亿美元，预计 2025年将创下 1,255 亿美元的新纪录，同比增长 7.4%。其中，中国大陆 2024年半导体设备销售额为 495.5亿美元，市场占比达到 42.30%，连续五年蝉联半导体设备最大单一市场。 数据来源：SEMI

　　根据 SEMI预测，随着 AI技术的持续驱动以及对 AI芯片需求的激增，全球300mm芯片制造厂设备投资支出将于 2025年首次突破 1,000亿美元，达到 1,070亿美元，并将于2028年达到1,380亿美元，其中，中国大陆将持续领先全球300mm芯片制造厂设备支出，2026-2028年间投资总额将达到 940亿美元。伴随着我国半导体产业持续的加大投入与政策扶持，国内半导体设备产业得到长足的发展，国内半导体设备厂商也将迎来巨大的成长机遇。

　　在半导体设备产业中，薄膜沉积设备与光刻设备、刻蚀设备并称为前道制造三大核心装备，是实现集成电路先进逻辑领域及 3D NAND、3D DRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储领域芯片技术突破的核心支撑，薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。根据 SEMI统计，2024年芯片制造设备销售额达到约 1,042亿美元，2025年预计同比增长超过 6%，达到 1,108亿美元，占总体半导体设备销售 额的比例近 90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设 备市场的 22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为 244亿美元。 结合 2024年中国大陆半导体制造设备销售额占全球半导体制造设备销售额的比 例 42.30%测算，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模将超过 100亿美元，具 有广阔的市场空间。 在薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和 性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，其中公司所聚焦的 PECVD、ALD、 SACVD、HDPCVD及 Flowable CVD等薄膜沉积设备的主要应用及薄膜材料如图示： 在逻辑芯片中的主要应用图示 在 3D NAND存储芯片中的主要应用图示 在 DRAM存储芯片中的主要应用图示 根据 SEMI统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄 膜沉积设备市场的 33%，ALD设备占比约为 11%，而 SACVD、HDPCVD、Flowable CVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为 6%。 全球半导体设备及芯片制造设备占比情况 数据来源：SEMI，同行业公司定期报告

　　随着后摩尔时代的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据 Yole统计，全球先进封装市场中 2.5D封装和 3D封装市场规模预计从 2023年的 43亿美元快速增至 2029年的 280亿美元，年复合增长率达 37%。

　　在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局， 成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键 合设备）及配套使用的量检测设备。先进键合技术在三维集成领域的主要应用如 图示： 三维集成设备的应用场景随半导体技术演进持续拓展，已形成多领域需求共振的格局。在 3D NAND存储领域通过晶圆混合键合技术实现存储单元与逻辑电路的垂直堆叠，解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；在作为AI算力需求激增的核心受益领域高带宽存储器（HBM）中，预计混合键合技术将被引入以支持更高的堆叠层数和互连密度，将带来对混合键合设备的新需求；在 3D DRAM领域，依托三维集成技术实现存储芯片的垂直堆叠与高密度互连，突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升芯片带宽与存储容量，同时降低功耗，满足 AI训练、高性能计算等对内存性能要求严苛的场景；在 CIS（CMOS图像传感器）领域，混合键合使得“三层堆叠”甚至“多层堆叠”成为可能，除了基础的像素层和逻辑层，还可以将 DRAM缓存层也键合进来，实现 CIS芯片内的高速数据缓冲；在 3D封装、Chiplet、异质集成等领域，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混合键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制，助力终端芯片产品实现性能跃升与尺寸微型化。

　　半导体产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱，而半导体设备行业作为支撑半导体产业的基础，其核心竞争力源于跨学科前沿知识的深度集成与持续创新能力，涉及等离子体物理、射频及微波学、微观分子动力学、结构化学、光谱学、能谱学、精密机械、真空机械传输、软件算法等多种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，属于高度复杂的技术密集型产业。由于研发技术复杂且集成度高、制造难度大、设备价值高等特点，高端半导体设备亦被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。

　　半导体行业的技术研发与技术演进呈现高度的前瞻性，行业领先设备厂商需提前布局并探索各类物理极限和材料突破，开展超前于当前芯片制造节点技术代际的基础研究与工艺开发。此外，半导体芯片制造厂对高端半导体设备的质量、技术参数、稳定性等有着极为严苛的要求。芯片制造过程精密度高、制造工艺繁多，半导体设备特别是薄膜沉积设备等核心设备性能的微小差异经多道工艺放大后，可能对下游客户的产品良率、生产效率与成本造成极大不利影响，由于薄膜沉积设备所沉积的薄膜一般会留存在芯片中，薄膜的技术参数影响芯片性能的程度更为明显。因此，下游客户对高端设备供应商的选择也较为慎重，优先选用行业内产品技术领先的厂商，并对其设备实施较长周期的验证流程。半导体产业链上下游企业围绕芯片制造工艺、基础学科的发展方向、产线迭代规律，进行产业链协同研发，共同推动行业内技术和工艺的发展，亦是重要行业特点。

　　先进制程的持续迭代，不仅推动工艺技术不断向更高性能演进，也同步带动了高端半导体设备的市场需求显著攀升。随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机器人及可穿戴设备等新兴领域技术的快速发展和需求的爆发式增长，对芯片的算力、能效、集成度提出了更高要求。为满足上述需求，芯片制造厂持续推进先进制程的技术迭代，同时扩大产能规模，直接拉动对高端半导体设备的适配需求，推动半导体设备行业持续扩容。

　　（4）国家政策的大力支持为高端半导体设备行业提供了良好的发展环境 集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力、半导体芯片技术持续迭代，并逐步向精密化、微小化发展的趋势下，高端半导体设备的重要地位日益凸显。近年来，国家有关部门出台包括《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》等一系列鼓励扶持政策，为高端半导体设备行业的高质量发展提供了有力支持，国内整体产业链趋于完善。

　　半导体设备产品具有技术复杂、投资金额大、研发周期长、参与门槛高的特点。国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积累，并通过并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的先发优势。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业基本由海外国际巨头市场份额占比较高。根据 Gartner历史统计数据，在 CVD市场中，AMAT、LAM和 TEL三大厂商占据了全球约 70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，EV Group公司、SUSS、TEL等公司高度垄断了全球绝大部分的键合设备市场份额。

　　公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战略方向、市场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积设备优势的基础上，面向后摩尔时代技术迭代方向，公司于 2018年即开始布局三维集成领域设备产品并实现了显著成果，形成“薄膜沉积+三维集成”的产品格局。在薄膜沉积设备方面，构建覆盖 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD和 Flowable CVD等全系列薄膜材料的设备矩阵，深度覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装等多元化应用场景的需求；在三维集成设备领域，布局并推出了晶圆对晶圆混合键合、芯片对晶圆混合键合等系列产品，相关设备已成功应用于 3D NAND、图像传感器等领域，该系列产品可为高带宽存储器（HBM）、Chiplet等芯片技术提供重要的设备支撑。

　　公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技术迭代需求，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁垒。在此基础上，公司基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研发，精准适配客户特定工艺材料、特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。公司可以结合客户特定需求，提供定制化、适配度高解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现技术升级。此外，公司先后承担多项国家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、生产、供应各环节的协同创新体系，支撑产业链整体技术水平提升。

　　公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域，涵盖了先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术等，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产能。

　　公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、深度的覆盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户先进技术需求。在薄膜沉积设备领域，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，PECVD设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑芯片、存储芯片等领域广泛应用；在 ALD设备方面，推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国内装机量及工艺覆盖均领先；HDPCVD、SACVD、Flowable CVD设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求，已在多条产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备等系列产品已成功应用于 3D NAND、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。

　　公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成领域设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模化应用。薄膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司产品已进入超过70条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过 3000个，且应用于先进制程领域的高性能反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.96亿片；客户端设备平均稳定运行时间（Uptime）超过 90%（达到国际主流水平）。此外，在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品，相关产品陆续通过客户验证并进入稳步放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。

　　在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工艺开发、系统控制、软件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方面，公司自成立以来始终重视本土科研团队自主培养，伴随 PECVD、ALD、沟槽填充 CVD、先进键合设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。

　　高端半导体设备行业属于典型的资金密集型、技术密集型行业，近年来，随着公司在手订单稳定增长，业务规模不断扩大，公司对流动资金需求不断增大；随着公司技术水平的提升，公司对前沿核心技术的投资需求也持续增加，由此对公司的资金储备提出了更高的要求，仅靠自身积累的资金模式可能难以充分把握行业快速发展带来的机遇。因此，公司急需拓展多元化融资渠道，以进一步增强资本实力，支撑产能扩张与技术研发，为公司可持续健康发展提供坚实保障。

　　公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。

　　公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。